Nous avons synthétisé par alternance de dépôts électrolytiques et de traitements thermiques des couches de Bi 2212 de $3,5~\mu\rm m$ d'épaisseur sur les deux faces de rubans d'argent de $\rm 50~\mu m$ d'épaisseur. Grâce à une succession de fusions partielles, la composition moyenne de nos couches s'homogénéise bien que les précurseurs soient déposés de façon séquentielle. Comme dans le procédé classique connu sous le vocable "partial melt growth", nous fondons nos précurseurs mais vue leur faible épaisseur au lieu de les refroidir très lentement, nous ne les maintenons que brièvement dans l'état fondu, puis nous les trempons jusqu'à la température ambiante. Nous synthétisons alors la phase Bi 2212 sans repasser au-dessus de son point de fusion. Afin d'optimiser le procédé, nous avons caractérisé la microstructure de nos échantillons à chacune des étapes de leur élaboration. Nous présentons dans cet article la comparaison entre le procédé classique de fusion partielle et le nôtre, ainsi que la corrélation entre les traitements thermiques et les propriétés électriques. Au stade actuel de l'optimisation, nous préparons de façon reproductible des échantillons présentant une densité de courant critique de transport d'environ 30 000 A/cm2 à 77 K et 300 000 A/cm2 à 4,2 K, ce qui correspond à des courants de transport de respectivement 6,3 et 63 Ampères pour des échantillons de 3 mm de large, avec un rapport substrat sur supra de 7. Nous avons de plus vérifié que le courant critique était proportionnel à la largeur de l'échantillon, conduisant à un courant critique de 42 A à 77 K et 100 A à 63 K pour les échantillons les plus larges que nous ayons testés (20 mm).