Hostname: page-component-586b7cd67f-rcrh6 Total loading time: 0 Render date: 2024-11-25T17:38:19.528Z Has data issue: false hasContentIssue false

Carbon Rich a-Si1-xCx:H Films: An Investigation On Radiative Recombination Properties

Published online by Cambridge University Press:  10 February 2011

F. Giorgis
Affiliation:
Dipartimento di Fisica ed Unitá dell'Istituto Nazionale per la Fisica della Materia del Politecnico di Torino, C.so Duca degli Abruzzi 24, 10129 Torino, Italy
F. Giuliani
Affiliation:
Dipartimento di Fisica ed Unitá dell'Istituto Nazionale per la Fisica della Materia del Politecnico di Torino, C.so Duca degli Abruzzi 24, 10129 Torino, Italy
C.F. Pirri
Affiliation:
Dipartimento di Fisica ed Unitá dell'Istituto Nazionale per la Fisica della Materia del Politecnico di Torino, C.so Duca degli Abruzzi 24, 10129 Torino, Italy
P. Mandracci
Affiliation:
Dipartimento di Elettronica ed Unitá. dell'Istituto Nazionale perla Fisica della Materia del Politecnico di Torino, C.so Duca degli Abruzzi 24, 10129 Torino, Italy
P. Rava
Affiliation:
Elettrorava S.p.A., Via Don Sapino, Savonera Torino, Italy
R. Reitano
Affiliation:
Dipartimento di Fisica ed Unit, dell'Istituto Nazionale per ]a Fisica della Materia dell', Universiti di Catania, C.so Italia 57, Catania, Italy
L. Calcagno
Affiliation:
Dipartimento di Fisica ed Unit, dell'Istituto Nazionale per ]a Fisica della Materia dell', Universiti di Catania, C.so Italia 57, Catania, Italy
P. Musumeci
Affiliation:
Dipartimento di Fisica ed Unit, dell'Istituto Nazionale per ]a Fisica della Materia dell', Universiti di Catania, C.so Italia 57, Catania, Italy
Get access

Abstract

Amorphous silicon-carbon a-Sil-xCx:H films with x in the range 0.3-1 have been deposited by PECVD of SiH4+CH4 and SiH4+C2H2 gas mixtures. Photoluminescence characterizations have been performed, together with optical measurements. The dependence of radiative recombination properties as a function of x and as a function of damage introduced by H+-ion irradiation has been presented and correlated with the changes in the absorption spectra.

Type
Research Article
Copyright
Copyright © Materials Research Society 1998

Access options

Get access to the full version of this content by using one of the access options below. (Log in options will check for institutional or personal access. Content may require purchase if you do not have access.)

References

REFERENCES

1 Bullot, J., Schmidt, M.P. Phys. Status Solidi (b) 143, 345 (1987).Google Scholar
2 Demichelis, F., Pirri, C.F. Solid State Phen. 44–46, 385 (1995).Google Scholar
3 Kanicki, J., in “Amorphous and Microcrystalline Semiconductor Devices” (Artech House, Boston, 1991) Vol. 2.Google Scholar
4 Giorgis, F., Giuliani, F., Pirri, C.F. Rigato, V., Tresso, E., Zandolin, S., “Properties of Amorphous Silicon and its Alloys” edited by Searle, T. (IEE, United Kingdom, 1998).Google Scholar
5 Solomon, I., Schmidt, M.P. Quoc, H. Trans., Phys. Rev. B 38, 9895 (1988).Google Scholar
6 Demichelis, F., Giorgis, F., Pirri, C.F. Tresso, E., Phil. Mag. A 72, 913 (1995).Google Scholar
7 Evangelisti, F., J. Non-Cryst. Solids 164–165, 1009 (1993).Google Scholar
8 Tessler, L., Solomon, I., Phys. Rev. B 52, 10962 (1995).Google Scholar
9 Robertson, J., Phil. Mag. B 66, 615 (1992).Google Scholar
10 Giorgis, F., Giuliani, F., Pirri, C.F. Tagliaferro, A., Tresso, E., Appl. Phys. Lett. 72 (1998).Google Scholar
11 Glesener, J.W. Anthony, J.M. Cunningham, A., Diamond and Related Mat. 2, 670 (1993).Google Scholar
12 Morigaki, K., Hirabayashi, I., Nakayama, M., Nitta, S., Shimakawa, K., Solid State Comm. 33, 851 (1980).Google Scholar